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钒的氧化物非常复杂,至少有八种钒氧化物具有从高温金属相到低温半导体相的转换特性,其转换温度在-147℃~68℃。其中二氧化钒(VO2)因其转换温度(68℃)在室温附近而最引人注目,在其转换过程中电学和光学等物理性能会发生巨变。基于这种特性,VO2薄膜在智能窗、光存储、激光防护、红外探测等领域有广阔的前景。本文制备钒氧化物薄膜的主要方法为反应磁控溅射法。由于影响反应磁控溅射的因素很多,以及钒氧化物的种类繁多,而且具有68℃可逆相变的VO2薄膜的制备窗口范围很窄,制备单一物相的VO2薄膜非常