量子点已经证实比量子阱具有更优异的特性(例如更小的阈值电流和更好的量子限制效应),由于量子点最主要的应用是量子点激光器,所以近几年来很多量子点的研究致力于使量子点发出适合于光通信的波长(1.3μm或1.55μm)。现在,1.3μm的发光波长的量子点激光器已经实现,但是用传统的方法制成的量子点激光器的发光波长很难达到1.55μm。在量子点的生长过程中,由于应变是量子点生长的动力,对量子点的成长和发光波长有很大的影响,所以通过研究量子点的应变分布来提高量子点的发光波长是一个重要的研究方向。本文主要通过改变量子点的异质结构来研究量子点的应变分布,从理论和实验两个方面对量子点的应变分布进行了研究。主要研究内容如下：1.采用有限元法计算了Ino.3Gao.7As应力减少层对InAs/GaAs量子点应变的影响,理论计算表明随着In的组分和InGaAs应力减少层厚度的增加,InAs量子点应变减小的越多。当In0.3Ga0.7As应力减少层厚度为2.5nm、5nm和10nm时,InAs量子点的禁带宽度分别减少15mev、23mev、33mev。2.采用有限元方法计算了In组分渐变InGaAs层对InAs/GaAs量子点应变的影响。建立了三个模型：(1)在InAs量子点的上面插入渐变的InGaAs层(2)在InAs量子点的下面插入渐变的InGaAs层(3)上下都插入渐变的InGaAs层。计算结果表明,这三个模型分别比没有渐变InGaAs层的量子点的禁带宽度分别减少了10meV,16meV和23meV。3.采用有限元方法计算了GaAs0.7Sb0.3应力减少层对InAs/GaAs量子点应变的影响。计算结果表明,2.5nm、5nm和10nm的GaAs0.7Sb0.3应力减少层对InAs量子点的禁带宽度分别减少了13meV、24meV和34meV,并随着Sb的组分和GaAsSb应力减少层厚度的增加,对InAs量子点应变的释放作用越明显。4.采用有限元的方法,计算了应力减少层对InP衬底上的InAs量子点的作用。计算结果表明,高In组分的InGaAs应力减少层,可以缓解InAs/InP量子点的应变,而且随着高In组分的盖层厚度越厚,InAs/InP量子点的应变释放越多。5.与人合作生长了具有InGaAs应力减少层和只有GaAs盖层的量子点样品,实验结果表明,具有InGaAs应力减少层的量子点发光波长红移至1.3μm窗口。