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阴极的电子发射性能很大程度上影响着真空微电子器件的整体性能,提高阴极的电子发射能力是提高真空微电子器件性能的有效手段。场致电子发射有很多独特而优异的性能,如无热能耗散、无预热时间和电子发射寿命长等,成为近些年来科学界研究的重点和热点,有望取代热阴极,成为主要的电子发射阴极。碳纳米管具有独特而优异的结构和物理化学性能,被公认为场致电子发射的最佳材料之一。目前碳纳米管场发射阵列的制备研究已经取得了一定的进展,但生长的可控性差、场发射电流密度较小和发射不稳定仍然是限制其在电真空器件中取得实际应用