过渡金属二硫化物具有类似石墨烯的优异电学、光学性能,对其进行基础性能研究,为这类材料在诸多领域的应用奠定基础。WSe2是一种典型的过渡金属二硫化物,本文以探究WSe2光电性能为目的,围绕WSe2二维材料的制备、光学性能和电学性能方面的表征开展实验,主要工作如下:(1)采用机械剥离法克服WSe2晶体层与层之间的范德华力,制备出单层、2胃层、3层及薄层WSe2样品,采用测量光学对比度的方法确定其层数;(2)常温下对不同层数的WSe2材料进行拉曼光谱和光致发光光谱的表征,多层WSe2由于层间范德华力在310cm-“附近产生一个特殊峰,单层WSe2没有出现此峰,进一步证明最薄样品为单层。且当WSe2从单层变为体材料时,光致发光峰变弱,并发生了红移。(3)半导体材料中载流子寿命的研究,对发展高速纳米级电子器件起到至关重要的作用。对单层WSe2进行超快激光光谱测量,利用时间分辨的泵浦-探测技术,对不同功率泵浦光测量到的差分反射信号进行拟合,拟合出的时间常数独立于激子密度,确定单层WSe2的激子寿命。(4)以薄层WSe2为沟道材料制备出场效应晶体管,通过测试转移特性曲线研究其电输运特性,确定其半导体类型,计算其电流开关比和载流子迁移率,并分析其原因。