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该文采有直流磁控反应溅射技术,合金靶成分为Zn:Al(0.8wt﹪~2.6wt﹪),制备了综合性能优良的ZAO薄膜.实验中详细研究了各种沉积参数:氧流量、沉积温度、掺杂浓度、靶基距和薄膜厚度等因素对ZAO薄膜的组织结构、电学性能及光学性能的影响,并探讨了ZAO薄膜的导电机制和热稳定性变化机理.
透明导电薄膜ZnO:Al的制备、组织结构及光电特性研究
【摘 要】
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该文采有直流磁控反应溅射技术,合金靶成分为Zn:Al(0.8wt﹪~2.6wt﹪),制备了综合性能优良的ZAO薄膜.实验中详细研究了各种沉积参数:氧流量、沉积温度、掺杂浓度、靶基距和薄膜厚
【机 构】
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中国科学院金属研究所
【出 处】
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中国科学院金属研究所
【发表日期】
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2000年期
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