本文介绍了通过光辅助电化学刻蚀制备大尺寸硅微通道板的工艺。工艺中的光照和温度的影响也被进一步研究。刻蚀的光照由150W的卤素灯提供,并通过反馈电路由电脑控制灯光以调整电流密度。刻蚀的温度由冷冻循环系统控制。文章中,对光照经过调整和有低温控制系统的实验结果与未进行光改进和温控的实验结果作了比较。在改进条件下获得的样品具备更为光滑的自分离底面和表面形貌(4英寸硅片衬底,有效刻蚀直径超过80mm)。在一定的温度范围内,适当增加光照,可以提高深宽比超过40,使得所制备的微通道板更具有实用性。论文包括以下几个方面:第一章首先对微通道作了简单介绍,并简述了目前微通道的应用,并从MEMS技术入手介绍了硅微通道的制作主要技术,以及本文所开展的工作。第二章则介绍了光电刻蚀(PEC)理论以及大面积比硅微通道板的制作流程。第三章研究了电化学腐蚀过程中各种参数对P型微通道板形态的影响。第四章讨论了硅的微通道制备面积增大后,实验中所遇到的各种问题以及改进方法。第五章对大面积微通道制备进行了总结,并对硅微通道技术进行了展望。