【摘 要】
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Cu(In,Ga)Se(CIGS)太阳电池以其廉价、高效、稳定等优点,很有希望成为新一代薄膜太阳电池的主流产品.当前,其最高效率已经达到18.8﹪.CIGS太阳电池如此优越,没有实现产业化的最
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Cu(In,Ga)Se<,2>(CIGS)太阳电池以其廉价、高效、稳定等优点,很有希望成为新一代薄膜太阳电池的主流产品.当前,其最高效率已经达到18.8﹪.CIGS太阳电池如此优越,没有实现产业化的最大障碍就是制造工艺的重复性达不到工业化的要求.而制备CIGS太阳电池最难最关键的一步是吸收层CIGS的沉积.该论文提出的光硒化法,就是试图探索一条简单、可靠、有重复性的制备CIGS薄膜材料的工艺技术.该文首先阐述了光硒化制备CIGS薄膜材料的工艺方法、生长机理和化学反应过程;接着,详细探讨了其制备过程中影响CIGS薄膜材料重复性的关键因素,并在大量实验的基础上,通过对In/Cu原子配比、衬底温度、硒源温度、光硒化和二次光硒化以及导电层Mo与CIGS膜之间的Ga的作用等关键工艺的详细研究,使CIGS材料的制备的工艺重复性得到了改善,膜的性能有了较大提高;最后,对光硒化制备过程中Ga的掺入问题进行了详细的探讨,总结出Ga的有效掺入工艺,成功的解决了Ga的掺入问题.
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