石墨烯被发现于2004年,证实了二维材料可以在室温下稳定存在,掀起了二维材料的研究热潮。随着时间的推移,许多二维材料相继被发现,例如:黑磷（b-p）、六方氮化硼（BN）、过渡金属硫族化合物（TMDCs:MoS₂、PbS₂、MoSe₂等）和烯类（硅烯、锗烯）等。二硒化铂（PtSe₂）作为一种新兴过渡金属硫族化合物,有着可调带隙和高载流子迁移率等二维材料共有的特点,通过调节其带隙可以将探测器的测量波段拓宽,实现从可见光波段到中红外波段的光电探测;高载流子迁移率可以让光生电子-空穴对迅速复合,实现器件的快速响应。二硒化铂的发现为制备低成本、宽波段和常温下响应迅速的光电探测器提供了一种新的可能性。本文通过直接在硅/二氧化硅衬底生长二硒化铂材料,来制备高效二硒化铂/硅异质结光电探测器,首先研究二硒化铂材料的生长条件和表征,再探究二硒化铂/硅异质结光电探测器的光电响应,主要研究内容如下:1、二硒化铂薄膜的制备与表征。先使用电子束蒸镀设备得到的高质量的Pt薄膜,再利用化学气相沉积法（CVD）硒化所得到高质量Pt薄膜。通过调控生长温度、氩气通量和硒源质量来调控材料生长的环境,从而得到品质良好的二硒化铂薄膜。再通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱仪（Raman）等设备对二硒化铂薄膜进行表征和简单分析。2、研究二硒化铂/硅异质结光电探测器的光电特性。在刻蚀完成的硅/二氧化硅窗口衬底上直接生长二硒化铂材料来构建高品质界面的二硒化铂/硅异质结光电探测器,并对器件在可见光波段到中红外波段的光电响应进行了测试。其中在可见光波段实现了4/3ms的快速响应时间,比探测率、响应度和开光比分别为4.39×10¹²Jones、202 mAW^-1和1.31×10⁵。在近红外和中红外波段也有着不错的光电响应。3、探究金字塔微结构对二硒化铂/硅异质结光电探测器的影响。在硅基底表面利用刻蚀工艺刻蚀出金字塔微结构,通过金字塔微结构来增加器件的光吸收,从而提高器件性能。