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取向硅钢磁性能的优劣取决于Goss织构的取向度和强度。Goss晶粒在二次再结晶时能够异常长大主要是由于第二相粒子对晶界的钉扎阻碍正常晶粒长大,然而第二相粒子对晶界的作用随其位置的变化而变化,因此,研究第二相粒子与晶界的关系对微观结构的控制具有极为重要的意义。本论文主要采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)结合电子背散射衍射技术(EBSD)对一次和二次再结晶取向硅钢中的Goss晶粒、黄铜晶粒及其周边相邻晶粒在晶界附近1μm范围内尺寸大于40 nm的第二相粒子的局部密度与相应晶界的关系进行了统计分析。研究表明:最佳初次再结晶温度为850~900℃,二次再结晶开始的范围为1025~1050℃。当退火温度为850~1000℃时,主要织构组分为以{111}<112>和{111}<110>为主的γ织构、{411}<148>、{001}<120>和少量α织构,当退火温度上升到1050℃,形成了强Goss织构,并残留极少数α织构、{411}<148>和{111}<112>织构。850℃和900℃再结晶退火后{411}<148>、{111}<112>和{111}<110>在Goss和黄铜周边出现的概率均较高;对850℃和900℃退火后Goss和黄铜晶界两侧1μm范围内大于40 nm的第二相粒子进行统计,发现Goss-{111}<110>晶粒的晶界两侧第二相粒子局部密度差最悬殊;Goss-{411}<148>晶界迁移率大于黄铜-{411}<148>晶界迁移率,有利于Goss织构的形成;{112}<111>(铜型)取向晶粒不易被Goss晶粒吞并。