集成电路的飞速发展,使得5G通信,物联网、新能源汽车以及移动终端设备等科技产品的问世,电源管理芯片在电路系统中担当的作用越来越受到重视。在种类众多的电源管理类芯片中,LDO线性稳压器（Low Dropout Regulator）依靠简单的结构、输出电压稳定、噪声小、纹波小,总体成本低等优点而被广泛应用在模拟和射频芯片中,为内部各模块供电,并且逐步向So C片上系统集成。无需连接外部补偿电容或接小电容节约芯片面积,降低总体成本,使无片外电容结构的LDO现已成为当今的研究热点。本文介绍了传统LDO线性稳压器的基本工作原理,并且研究分析了其片外补偿电容起到的作用,并对有无外部输出电容的LDO线性稳压器的原理做了比较,简述了无片外电容NMOS LDO的电路原理,拓扑结构。介绍了本文所设计的无片外电容NMOS LDO的工作原理,介绍并分析了电路中子模块的电路原理和仿真结果。本设计采用NMOS作为LDO的功率管、折叠共源共栅放大器为LDO的误差放大器,电荷泵为升压电路的拓扑结构。本设计中电荷泵采用了新型的交叉耦合结构,该结构能够有效降低输出纹波,同时一定程度上提高了电荷泵的驱动能力。本设计无需片外输出电容就可达到稳定。并加入了过温保护、过流保护模块保证LDO的正常工作。通过整体电路设计,实现了1.2-5V的可调节输出电压,并进行了仿真验证和分析,同时完成了芯片的版图设计。本设计基于华虹宏力BCD350nm的工艺设计芯片,使用Cadence的EDA工具对本文电路进行直流仿真、交流仿真和瞬态仿真。通过仿真发现,当输入电压在1.7-5.5V的范围时,通过调整反馈网络电阻的阻值,可实现1.2-5V范围的稳定输出电压,具有1μA-400m A宽范围的带载能力;典型压差电压值约为82m V;在负载电流1μA（轻负载）时的线性调整率为0.00684%/V,在负载电流400m A（重负载）时的线性调整率为0.00815%/V;在负载电流1μA-400m A的变化范围内,负载调整率为0.00850%/A;负载瞬态响应仿真中,当负载电流1μA-400m A间的跳变时,上冲电压为169m V,上冲建立时间为1.71μs;下冲电压为198m V;下冲建立时间为1.27μs。并在-40℃-125℃的温度范围内,输出皆稳定。仿真结果表明,本文设计的LDO满足设计要求。与公开发表的相似研究成果对比,本文设计的LDO在输出负载电流方面有明显优势。