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由于GaN禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在紫外探测器有重要的作用.GaN紫外探测器在飞行器制导、火灾监测、航天等领域有重要的应用价值,在国际上引起广泛的研究兴趣.该文针对各种GaN紫外探测器开展了研究,主要内容归纳如下:1.研究GaN金属接触的特性,尤其是研究Pt、Ti/Al/Ti/Au的退火行为,寻找合金的优化条件.2.通过PL、XRD、Hall测量研究GaN材料的特性,为GaN基紫外探测器的制作生长高质量的外延材料;经过优化紫外探测器制作的工艺条件,在蓝宝石衬底上制作了GaN基MSM结构、肖特基结构、p-i-n结构紫外探测器,测定了各种GaN紫外探测器I-V、C-V、响应度和响应时间;经过不断改进,最后制作了暗电流非常小、响应度很大、响应速度很快的GaN基紫外探测器.其中GaN基MSM结构紫外探测器在5V偏压下暗电流为4.3pA,峰值响应度为0.16A/W,在加偏压时存在增益;GaN基肖特基结构紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,零偏时峰值响应度为0.12A/W,响应时间小于2μs;GaN基p-i-n结构紫外探测器在5V偏压时暗电流为3.85pA,零偏时峰值响应度为0.06A/W,响应时间小于2μs.