正电子致原子内壳层电离的截面测量研究在理论和实际应用中都具有重要意义。一方面,精确的正电子致原子内壳层电离截面有助于更好的理解正电子与原子的相互作用机制,促进原子碰撞理论模型的发展;另一方面,正电子致原子内壳层电离截面数据在完善相关模拟计算用到的电离截面数据库,材料分析以及核聚变等领域应用广泛。但是,目前正电子致内壳层电离截面数据十分匮乏,因此严重阻碍了电离截面理论的发展。鉴于正电子致原子内壳层电离截面测量的重要意义,本论文测量了 10 keV以下能量正电子碰撞Ti原子K壳层的电离截面,主要工作内容如下:(1)对与厚Ti靶碰撞的正电子束流强度进行在线监测,即通过HPGe探测器收集湮灭光子并结合蒙特卡罗模拟技术,得到与靶碰撞的入射正电子数。(2)考虑到正电子在厚Ti靶中的多重散射、以及产生的次级电子、湮灭光子等次级粒子对特征X射线产额造成的影响,使用理论计算产额与蒙特卡罗模拟产额比较得到修正因子,对实验产额进行修正。(3)利用理论产额与修正后实验产额的比值,并结合用蒙特卡罗模拟产额时所用的DWBA理论电离截面,从而得到8-9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面,并与DWBA理论模型及他人已发表的相应能区数据作比较,发现本工作得到的电离截面与DWBA理论模型符合较好,而在相应能区与他人存在差异,与他人存在差异的原因也在本文进行了讨论。