【摘 要】
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Ⅳ族半导体合金已经成为硅基高性能大规模集成电路中芯片内和芯片间光电子应用的重要材料之一。硅、锗、锡元素构成的材料扩展了基于Ⅳ族器件的设计空间,形成的二元及三元合金可在近、中和远红外范围内的光子学和光电子学中实现多种器件,如光电探测器、发光二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、隧道场效应晶体管等。SixGe1-x-ySny合金具有较高的载流子迁移率和长的载流子寿命,该合金通过改变Si/Sn元素的相对
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Ⅳ族半导体合金已经成为硅基高性能大规模集成电路中芯片内和芯片间光电子应用的重要材料之一。硅、锗、锡元素构成的材料扩展了基于Ⅳ族器件的设计空间,形成的二元及三元合金可在近、中和远红外范围内的光子学和光电子学中实现多种器件,如光电探测器、发光二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、隧道场效应晶体管等。SixGe1-x-ySny合金具有较高的载流子迁移率和长的载流子寿命,该合金通过改变Si/Sn元素的相对含量,可以独立于晶格常数控制能带结构,所以该合金是能带工程很有潜力的材料,在电子和光电领域具有广阔的应用前景。作为一种新型半导体材料,迫切需要从理论和实验上系统地研究其光电性能。本文在理论方面基于密度泛函理论(DFT)通过第一原理方法计算了Ge96-xSnx合金的电子结构和光学性质及Si32-xSnx合金和Si/Sn原子比1:1的SixGe1-x-ySny合金的光学、电学和力学性质。结果表明,随着掺杂浓度增加所有合金的晶格常数均增大,形成能均为负,带隙逐渐减小。Ge96-xSnx合金中,当Sn原子数为10时转变为直接带隙,带隙值为0.542 e V。在光学方面,Ge96-xSnx合金在红外区域的吸收系数随着Sn浓度的增加而增大并发生红移,吸收边缘延伸到中红外区域;Si32-xSnx合金随着Sn浓度的增加,对可见光以及红外光的吸收增大;SixGe1-x-ySny合金在紫外和可见波长范围内随掺杂浓度增加,吸收系数减小,在近红外和中红外波长范围内随掺杂浓度增加,吸收系数增大,且发生红移;掺杂也对所有合金的介电函数、折射率、光电导率等产生了影响。在力学方面,根据体积模量、剪切模量、杨氏模量、泊松比和Push比值研究表明,随掺杂浓度的增加Si32-xSnx合金抵抗外力的能力增强,体积不容易产生形变,既具有金属性质又趋于延展性,SixGe1-x-ySny合金抵抗外力的能力减弱,体积容易产生形变。对于载流子寿命,Si32-xSnx合金中掺杂六个锡原子(Si26Sn6)时寿命相对较大;SixGe1-x-ySny合金中,随掺杂浓度提高寿命逐渐延长。在实验方面采用磁控溅射法利用SiSn浓度为1:1的靶材和Ge靶材共溅射生成Si Ge Sn薄膜并进行性能表征。利用扫描电镜(SEM)分析样品表面形貌比较均匀;利用SEM和台阶仪测得薄膜厚度,发现当SiSn靶功率一定时,随Ge功率的增加薄膜厚度逐渐增大;利用X射线能谱(EDS)对薄膜进行成分分析,发现当SiSn功率一定时,随Ge功率的增加,Ge含量逐渐增加;利用拉曼光谱仪(Raman)表征了晶体结构的质量,根据退火前后对比,退火后结晶性提高,并且拉曼峰的位置整体向右移动;利用紫外-可见-红外分光光度计测得薄膜的反射率在红外区域有一吸收峰,在红外区域合金的反射率随Ge含量的增加而增大。与此同时,采用MS软件计算了与实验相同浓度的Si Ge Sn,计算得出,在中红外区域的反射率与实验测试的趋势相一致,即随Ge含量的增加而增大,证明我们理论与实验的可行性。
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