【摘 要】
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PTCR陶瓷是一种新型的半导体材料,它具有独特的电阻温度变化规律,被广泛地应用在电子通信设备、家用电器、电子仪表、医疗器械等多个领域。BaTiO3是具有代表性的钙钛矿结构材料
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PTCR陶瓷是一种新型的半导体材料,它具有独特的电阻温度变化规律,被广泛地应用在电子通信设备、家用电器、电子仪表、医疗器械等多个领域。BaTiO3是具有代表性的钙钛矿结构材料,因其显著的铁电、压电性能,被广泛应用在热敏电阻器、陶瓷电容器和光电器件中。随着研究的深入,PTC材料以多元化的形式向着高技术、高性能、高应用领域的方向发展,高性能PTC陶瓷的研究与开发,是近期陶瓷材料开发的热点。这类应用要求PTC材料具有较低的室温电阻率、高耐压和承受大电流冲击等特性。因此,对该项目的深入探讨与研究是近来科研工作者的一个重点。本文首先采用液相掺杂-低温固相反应制备了铋掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。首先TiCl4和BiCl3共同水解生成水合钛铋复合氧化物,再与等摩尔量的氢氧化钡和氢氧化锶在室温下研磨反应1h,得到了钛酸钡基纳米晶。利用XRD、TEM和SEM等对样品的物相、晶粒大小及微结构进行了分析,样品在常温下为立方晶系,颗粒均匀分布,基本呈球形,粒径约为60nm;在烧结温度1330℃,保温时间为20min的最佳烧结条件下,制备得到了室温电阻26.29,升阻比3.585×104的性能优良的PTC材料。在钛酸钡中以BiCl3、NbCl5的乙醇溶液形式引入Bi、Nb元素,采用低温固态反应制备了Bi、Nb双施主掺杂的纳米BaTiO3基PTC陶瓷粉,同时研究了烧结条件对PTC陶瓷材料性能的影响。利用XRD和TEM分析了样品的物相及微观形貌,发现样品为立方晶系的完全互溶取代固溶体,颗粒基本呈球形,粒径大约5060nm。制陶实验表明,以Bi、Nb进行双施主掺杂可有效改善材料的PTC性能,当最佳烧结温度为1330℃、保温时间为20min时,可以得到室温电阻为12.93,升阻比为1.920×105的电性能优良的PTC陶瓷。采用低温固相法合成了一系列La、Nb共掺的BaTiO3粉体,利用XRD和TEM分析粉体的物相及晶粒大小,发现粉体在常温下为立方晶系,颗粒分布均匀,粒径约为6070nm。并且详细探讨了烧结温度、保温时间及降温速率对钛酸钡基陶瓷材料室温电阻和PTC性能的影响,并对其影响机制给予合理的理论解释。最终在1340℃下烧结保温20min,再以150℃/h的降温速率冷却到1050℃,最后随炉自然降温,得到室温电阻36.74,升阻比1.066×105,电阻温度系数为22.78%的性能较佳的PTC陶瓷。通过对最高烧成温度、保温时间、升温速率、降温速率的控制,探索烧结制度对材料性能结构的影响规律。随着烧结温度的升高,样品粒径呈现出先减小后增大的趋势,瓷片的室温电阻先降低后升高,而升阻比先增大后减小;随着保温时间的延长,室温电阻先减小后增大,升阻比则先增大后减小;随着升、降温速率的增大,材料的室温电阻先降低后升高,升阻比先升高后降低。
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