氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景,而使用GaN基半导体光子探测器代替真空管进行紫外探测,也有其重大的应用背景。本文以提高GaN器件性能所面临的主要问题和难点为出发点,致力于应用肖特基器件的数值模拟对器件的电学性质进行分析和优化。具体内容如下:1.对不同界面层厚度的电学特性进行模拟仿真,分析界面层对器件性质的影响;2.对固定界面层厚度的器件,通过改变本征漂移层的厚度对器件的电学性质进行模拟,分析本征层在器件中的作用;3.对未引入界面层的肖特基结构的雪崩器件进行模拟,通过改变本征层的厚度进一步验证本征层的作用;4.对引入界面层的肖特基雪崩器件的电学性质进行模拟,通过比较常规肖特基结构和引入界面层结构的肖特基雪崩器件进一步验证界面层的作用。