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超纳米金刚石(UNCD)具有细小的晶粒尺寸及高导电性能,在冷阴极场发射器件领域有着极大的应用潜力。离子注入是一种有效提升金刚石薄膜导电性能的表面改性技术,退火处理后可以使得金刚石薄膜的电学性能进一步得到改善。本文首先在不同气氛下进行了超纳米金刚石薄膜的制备,分析不同气氛下及100 keV、1.0× 1017ions/cm2的Ni离子注入后薄膜场发射性能的变化情况。其次,采用不同退火方式及退火温度进行退火处理,探索能够增强UNCD薄膜电学性能的最佳工艺。在UNCD薄膜表面形成大量的sp2碳键结构及Ni