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富含氧空位的In2O3基复合物的制备及光催化CO2还原性能
【摘 要】
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氧化铟(In_2O_3)作为一种宽带隙的n型半导体,具有适合光催化CO_2还原的能带结构、独特的化学稳定性和较高的CO_2吸附能力。因此,在光催化CO_2还原方面有良好的应用前景。尽管如此,传统的In_2O_3材料在作为光催化剂时依然存在选择性差、反应活性低、光吸收性差、电荷分离效率低等缺点。严重限制了In_2O_3光催化剂的大规模应用。针对In_2O_3光催化剂所存在的问题,本研究通过将引入氧空
【机 构】
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黑龙江大学
【出 处】
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黑龙江大学
【发表日期】
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2021年09期
【基金项目】
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