论文的主要内容如下:基于部分元等效电路(PEEC)理论,第二章对硅衬底上的螺旋电感进行了建模和分析.该模型中包含了非常重要的衬底损耗影响以及邻近效应和趋肤效应影响.为了有效地提取硅衬底集成电路中导体单元之间的电位系数矩阵,在谱域中采用了改进的复数拟合指数函数方法,导出了三维有耗多层介质中的近似闭式格林函数.通过分别比较近似格林函数和准确的格林函数的实部和虚部,证明近似格林函数和准确格林函数在谱域吻合很好,因此通过傅立叶逆变换在空域获得的格林函数也一定是精确的.此外,为了提高效率,在螺旋电感二端口建模中,采用了网络分析技术以及许多高效的计算方法.最后,基于螺旋电感的二端口网络模型,全面研究了螺旋电感的几何参数以及硅集成电路的工艺参数对螺旋电感的Q值的影响,并提出了改善螺旋电感Q值的措施和建议.基于行波理论,采用简化的MOSFET模型和低损耗电感模型,第三章对完全集成的CMOS分布放大器进行了理论分析和仿真研究.第四章提出了一种具有低通滤波网络的宽带、高增益放大器,并且进行了设计.根据实际设计过程,第五章比较详细地总结了高速CMOS集成电路的设计流程、仿真和设计工具,提出了射频和微波集成电路版图设计中的一般设计原则和注意事项.该章对低通网络宽带放大器进行了设计并给出了设计版图和ADS仿真结果.目前该放大器已经在SMIC的1.8-v0.18μmCMOS标准数学集成电路工艺线上进行了流片,该集成电路芯片已经通过芯片测试系统的测试.测试结果显示,该宽带放大器的单位增益带宽达到了13.4GHz,平坦部分的增益大于15 dB,-3 dB带宽达到了6GHz,功耗70mW;在0 dB增益带宽内,放大器的插入相移呈线性.测试结果和设计指标相当吻合,这一结果表明:该文提出的低通网络宽带放大器的设计理论和设计方法是正确的.