随着半导体激光器的迅速发展，半导体激光器的驱动研究也有了很大的进步，取得了很大的成果，但是国内在这方面的研究投入和国外发达国家之间还是有着一定的差距的。本文主要是对窄脉冲半导体激光器驱动以及激光器温度控制的研究。通过对半导体激光器特性的分析，建立了激光器驱动的数学模型，在比较分析了几种激光器驱动电路的设计方法后，设计并完成了一套半导体激光器的驱动电路。该电路通过对CPLD产生的脉冲信号的整形放大来驱动MOSFET管，经过LD放电回路激发高性能半导体激光器。具体所做的工作如下：(1)分析窄脉冲激光器的电流光功率特性，深入研究了脉冲激光器驱动电路设计的难点，并比较了目前常用的几种驱动电路设计的优缺点。(2)分别从脉冲的发生、脉冲的整形功率放大以及LD放电回路这三个部分对电路进行设计，通过对CPLD的编程来实现脉冲的发生，同时也实现了对输入频率的可调，基于半导体激光器的窄脉宽和大电流的特点采用MOSFET管作为LD放电回路的开关，经过整形放大的脉冲信号来驱动MOSFET管，从而实现对激光器的激发。(3)对电路系统进行调试。设计相关的电源转换电路，分析实验中实际测得的波形，计算出半导体激光器实际的工作电流和脉冲宽度。分析电路中的电容、电感等等对电路的影响，并通过PCB版图的设计减小这些影响。(4)分析温度对半导体激光器输出波长和输出功率的影响，设计出双向温度控制电路，实现对激光器工作温度的精确控制。最终成功设计了满足要求的驱动电路，脉冲宽度最小可达10ns，电流可以达到40A，双向温度控制电路也实现对激光器工作温度的精确控制。