随着电力电子技术的发展，采用高速半导体开关器件，可以大大加快逆变器的动态响应过程，这些半导体开关器件产生的高频脉冲信号，形成很强的电磁干扰(EMI)。逆变器产生的电磁干扰不但影响负载的正常上作、缩短其使用寿命，而且对逆变器本身也带来很大的危害。本文主要内容就是关于逆变器电磁干扰的研究，以ANSYS为工作平台，首先探讨了电压型逆变电路的电磁场分析有限元模型的建模方法，根据各种常用电路元件的结构特点，用层段相结合的方法建立了电感、电容、电阻、二极管以及MOSFET等单个元件模型，并对所建立的模型进行理论验证；在对单个元件建模的基础上，对电压型逆变电路进行建模分析，对电路不同空间拓扑的电磁场分布情况及其近场特性进行了定量分析，证明了所建模型的有效性与合理性；其次对于其远场特性，系统的讨论了逆变电路中各辐射源的特点，重点分析了散热器引起的共模电流和高频电流回路引起的差模电流所形成的电磁干扰，讨论在不同形状、尺寸、安装方式各种情况下散热器和高频电流回路所产生的辐射效果；最后对于所建模型进行实验验证。由于目前对于电力电子线路产生的电磁辐射问题极少见有文献报道，本文研究成果具有一定的参考价值。