热氧化法制备p型Cu_2O薄膜及其光发射器件研究

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在自然界中,铜矿资源是十分丰富的,铜的氧化物具有价格低廉、无毒无害、制备工艺简单、化学稳定性好等优点。Cu_2O是一种新型的p型直接带隙半导体材料,由于铜原子之间的距离较大,它们之间的3d轨道和4s轨道不再重叠。因此,在体系中形成半导体能带,禁带宽度为2.2 eV。Cu_2O在可见光区域有较高的吸收系数和光电转换效率,使其在信息功能材料、太阳能电池、光催化剂等方面具有广泛的应用前景。与此同时,Cu_2O因其独特的直接带隙性质,被认为是潜在的光发射材料。然而,目前针对Cu_2O发光性质的研究仍然相对较
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