随着微电子行业几十年来的飞速发展,集成电路技术不断进步,其工艺节点特征尺寸不断减小。随之而来的工艺偏差日益严重,光刻热点问题直接导致了芯片成品率的下降和设计制造成本的增加。为了适应可制造设计的要求,如果能在集成电路设计阶段早期解决光刻热点可能带来的问题,将大大提高集成电路芯片设计制造的成品率。而光刻热点的聚类与光刻热点的检测、修正一样,都是光刻热点研究领域中重要的组成部分。本文针对光刻热点聚类问题开展了研究,介绍了相关理论的发展历程及国内外研究现状,对已有的基于改进型正切空间光刻热点聚类方法进行了详细介绍和分析。根据掩模综合平台软件的实际需求,利用C语言实现了基于改进型正切空间方法的光刻热点距离测度的计算过程,并实现了增量式的聚类方法。根据大量实验,确定了算法中的经验参数。实验结果表明,相比原有的基于改进型正切空间光刻热点聚类方法的Matlab实现,本论文的C语言实现的聚类精度与Matlab实现的聚类精度相当,而效率提高最高可达9倍。C语言实现有效提高了计算效率,并可以在掩模综合光刻软件产品中实现集成。