随着生活水平的不断提高,人们对于各种电子设备的依赖性越来越大。在电力电子设备中,开关电源有着举足轻重的作用,但其带来的谐波污染不仅影响着设备自身的运行,对于电网安全也是一种危害,因此几乎所有的AC/DC变换器都需要有功率因数校正的能力,以满足相关的谐波标准。同时,设备的电源体积和重量往往相对较大,如个人电脑等,这主要是设备中的无源器件如电容、电感等导致的,因此提高电源功率密度,减低电源体积成为电力电子发展的方向之一。对于开关电源来说,减小无源器件体积最直接的方式就是提高开关频率。因此针对应用最为广泛的功率因数校正电路的高频化研究正成为电力电子学科的研究热点。然而,开关电源中应用最为普遍的硅基半导体器件,由于其自身材料属性的限制,很难适应高频(MHz级)环境。而以氮化镓(GaN)器件为代表的宽禁带半导体功率器件具有高耐压、高工作温度及更快的开关速度等特性,可以实现更低的系统成本及更高的功率密度,在部分高频中小功率电源领域大有替代原有硅材料功率器件的趋势,为实现高频小型化电源提供了可能。本文在研究商用Boost PFC控制器原理的基础上,对MHz级环境下的电流临界导通模式Boost PFC设计提出了优化建议和方案。最终,采用GaN HEMT设计了一款200W的高频Boost PFC,通过PSpice仿真和实验验证了系统设计的正确性,同时系统地分析了实验振荡的原因。