本论文利用Gaussian98程序,采用密度泛函理论B₃LYP方法,在6-311G**基组下,研究了SinNm的稳定构型及PCl₃/H₂在硅衬底表面上反应机理。第一部分用Si₄原子簇模拟硅衬底,探讨了PCl₃/H₂在硅衬底表面上的反应机理。在硅衬底上PCl₃首先发生解离吸附,然后吸附产物与H₂经四步骤多通道反应,最终得到了PSi₄原子簇。全参数优化反应势能面上各驻点的几何构型,然后通过对各过渡态唯一虚频振动模式分析和内禀反应坐标（IRC）计算确认过渡态,给出了反应的主反应通道。第二部分全面系统地对SinNm体系的微观稳定构型进行了理论研究。探讨SinNm原子簇的可能存在稳定构型和各稳定构型之间Si-N化学键键长以及各种构型相对稳定性的变化规律。分析得出:[1]当物质中氮原子数目m=1,2,3个时,硅原子数目从1变化至3时,各物质最稳定构型为线性或平面结构;当氮原子数目m=4时,硅原子数目从1变化至3时,各物质最稳定构型都为三维立体结构。[2]同种物质线性构型与非线性构型相比较,线性构型更有利于π键的形成。