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随着集成电路工艺的发展,除了对器件本身提出的高速、低功耗、高可靠性的性能要求之外,互连技术的发展也在越来越大的程度上影响了器件的总体性能,减少RC延迟时间(其中R是互连金属的电阻,C是和介质相关的电容),达到和器件延迟相当的水平是一个很大的挑战。为了避免铜互联电路中的合金化,在Cu和Si之间必须引入一层扩散阻挡层,研究表明Ru和Ru-N体系是很有前途的一类扩散阻挡层,但是由于Ru很容易结晶,而且N在加热时很容易从Ru-N中脱离出来,为了将N固定在Ru中,本文引入了Ti,使其与N发生反应,生成具有较强