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锗氧化物尤其是GeO2由于其较差的电学性能和稳定性能,以及去除工艺的复杂性,历来被视为阻止锗半导体器件进一步广泛应用的阻碍。近来亚态非化学计量比的氧化物GeOx层受到很多学者的关注。但是研究主要侧重于GeOx作为形成锗纳米晶体前驱物方面的应用,而锗氧化物在锗单晶钝化方面的研究却鲜见报道。本论文采用湿化学方法对锗片表面进行了处理,在样品表面获得了GeOx层。以微电导少子寿命测试仪和X射线光电子能谱仪测试结果作为依据,对各个影响因素进行了系统的分析,比较不同工艺条件下的钝化效果。结合随机成键模型