稀磁半导体(Diluted Magneic Semiconductors，DMS)集电子的电荷和自旋于一体，使之具有了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存储特性，是一种新型的功能材料。由于磁性元素的掺入，稀磁半导体具有了一些奇异的性质。 稀磁半导体是目前国际上研究的热门课题，研究最为广泛的是过渡族金属掺杂的ZnO．所制成的DMS。尽管理论和实验上已经取得了可喜的结果，但是还有许多问题(例如磁性的起源，居里温度低于室温等)有待于进一步解决。本文主要在ZnO基DMS方面开展了一些研究工作。 1．分别利用固相反应法和射频磁控溅射法制备了n型的Zn<,0.96>Mn<,0.04>O粉末和薄膜样品。所有样品的XRD结果均表明其为单一的纤维锌矿结构，未见任何杂质相存在。经过磁性检测表明：当温度降低到3 K时，粉末样品仍然表现为顺磁性。而在真空氛围退火的薄膜样品在室温下检测具有铁磁性，并且每个Mn离子的饱和磁矩为1.05μB，矫顽力为100Oe，居里温度大约为400 K。综合各种表征结果，认为薄膜样品的磁性属于样品的内禀性质，并且恰当的生长环境以及缺陷浓度是样品产生铁磁性的关键因素。 2．采用直流反应共溅射的方法在玻璃基片上制备了Cu(N，Cu)-znO的系列薄膜样品。霍耳效应检测表明所有样品均是n型导电。磁性检测表明所有的样品在室温下都具有铁磁性。并且氮的引入导致了磁矩的显著减弱，居里温度的显著降低。电输运性质表明随着铜掺杂量的增加以及氮的引入，样品的电阻率有明显的增大趋势。经过详细的分析表明：该系列样品的铁磁性属于样品本身的内禀性质，而不是杂质相的贡献，并且样品的铁磁性对电子浓度有很大的依赖性。 3．采用射频和直流交替溅射的技术，在玻璃基片上制备了 Co(N，Co)-ZnO系列薄膜样品。由于N的引入，薄膜从n型导电转变为p型导电。经过详细的检测分析，结果表明所有的样品室温下均具有铁磁性，并且样品的磁矩随着氮的含量的增加而减弱，然而居里温度随着氮的含量的增加而增大。将Co-ZnO体系的磁性归因于电子载流子的媒介作用，可以解释磁矩的变化趋势，但是对于居里温度的变化趋势很难解释。该结果丰富了人们对Co-znO体系铁磁性的理解，同时磁性起因还有待于进一步探索。