密度极限问题是所有低杂波电流驱动实验都无法回避的问题,如何提高高密度条件下的电流驱动效率是目前低杂波电流驱动研究的重点。相对于低场侧区域,托卡马克内的高场侧区域具有较高的磁场、静止的刮削层,这些条件都有利于低杂波取得更好的电流驱动效果。因此从高场侧发射低杂波驱动电流是应对密度极限问题的一种潜在的解决方法。本文通过GENRAY/CQL3D程序进行模拟对比了高场侧和低场侧的低杂波电流驱动情况。模拟结果表明:在整体电子密度较小时或在无密度台基的电子密度分布下,高场侧低杂波电流驱动的优势不显。随着整体电子密度的增大,高场侧低杂波电流驱动的优势逐渐显现,高场侧低杂波的总驱动电流逐渐超过低场侧低杂波,电流的径向分布范围比低场侧低杂波电流更加靠近等离子体中心。考虑刮削层对低杂波传播的影响,根据高场侧和低场侧刮削层内不同的密度分布进行模拟。模拟结果表明,低场侧低杂波在刮削层内的功率损失要远大于高场侧低杂波。增大环向磁场强度进行模拟,结果表明,增加磁场强度能有效提高低杂波渗入等离子体芯部的能力,高场侧发射的低杂波在高密度条件下能将波功率沉积到更靠近等离子体中心的区域。增大电子密度的同时,同比例增大磁平衡位形中的动力学压强,高场侧低杂波电流驱动效果好于低场侧。以上结果均表明在高电子密度分布条件下,高场侧低杂波电流驱动相对于传统的低场侧低杂波电流驱动有更好电流驱动效果,值得进一步研究和推广。