【摘 要】
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该文首先根据国内外励磁系统的发展趋势,说明了自并激励磁系统的工作原理,并分析了该励磁方式的优越性.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种具有多种优 点,目前发
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该文首先根据国内外励磁系统的发展趋势,说明了自并激励磁系统的工作原理,并分析了该励磁方式的优越性.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种具有多种优 点,目前发展很快且具有广阔应用前景的一种复合型器件.该文深入研究了IGBT开关式励磁系统的工作原理,并对励磁主回路的工作过渡过程进行了详细的分析,在研究成果的基础上进行了主回路的设计,提出了主回路元件参数的选择方法.通过与可控硅励磁系统的比较,说明了IGBT开关式励磁的优越性.该文还建立了励磁控制系统各个组成环节的数学模型,提出了一中工程实用的PID环节参数整定的方法,并通过具体算例进行了说明.最后,应用新 型微控制器设计了励磁调节器的硬件电路,应用Tasking C进行了软件编制,并提出了抗干 扰措施.
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