【摘 要】
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本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料的光增益、输出波长、对温度的敏感性等特性，并从理论上对其形成机制作了初步的探讨，对并入其中的N组分引起的反常弯曲系数的成因给
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本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料的光增益、输出波长、对温度的敏感性等特性，并从理论上对其形成机制作了初步的探讨，对并入其中的N组分引起的反常弯曲系数的成因给出了一定的解释。设计并制作了完整的GaInNAs量子阱脊形波导半导体激光器，该激光器的芯片采用脉冲阳极氧化工艺来制备绝缘膜层。对它进行的测试显示：其输出波长为1.31μm，阈值电流为18mA，阈值电流密度为360A／cm~2，室温下连续工作时的最大功率为14mW，特征温度为135.1K，内量子效率76％，这些数据初步展现了GaInNAs应变量子阱材料所具有的优良特性。
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