自晶体管发明以来,半导体工业得到迅速发展,人类生活发生巨大变化。随着计算机的普及到目前智能移动设备的普及,人们对芯片性能的要求越来越高,同时也不断在为提高集成电路集成度、缩小器件体积、减少功耗而努力,因而需要一方面是改进器件结构与工艺,降低材料的维度。另一方面是寻找新型材料。2004年石墨烯的发现开启了二维材料的大门,它与其他材料相比展现出众多优点。近年来,越来越多研究者关注二维材料,人们认为它在电子、光电子等领域有巨大应用前景。然而,目前还没有找到一种可直接应用于半导体工业的二维材料,本文旨在探寻新型二维材料,摸索高质量的二维材料的生长方法,并对其性质做研究。在本文中,我们采用分子束外延的方法在Ag(1 11)表面生长生长二维硼和二维磷,阐述了生长条件摸索过程,并利用扫描隧道显微镜(STM)对其形貌和电子性质做研究。本文主要包括以下两个方面内容:1.利用分子束外延的方法在Ag(111)表面生长二维硼,这是在实验上首次生长出二维硼薄膜。分别在570K和650K条件下得到两种结构,S1相和S2相,它们分别对应理论预言β12模型和χ3模型。随后在570K条件下又发现两种新的结构S3相和S4相。其中S3相和S1相(β12结构)有相同的原子结构,但是它和S1相相对衬底有不同的转角,因此他们在扫面隧道显微镜(STM)图像上表现出不同。S4相是六角对称结构,我们确定它是理论预言的a结构。利用扫描隧道谱(STS)技术,表明这四种相都呈现金属特性。2.自制简易磷蒸发源,利用分子束外延的方法在Ag(111)表面生长二维磷,调控生长温度,在较低温度下时有较多缺陷,提高生长温度缺陷减少。利用扫描隧道显微镜,得到二维磷的原子结构图像及晶格常数,确定了它是蓝磷烯。