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近年来,有机电致发光器件(OLED)在科研领域中备受瞩目。并且随着技术不断成熟,OLED在照明和显示领域中已经进入了产业化阶段。市场上出现了大量基于OLED技术的新型电子产品,如智能手机和电视等。但是,传统的白光OLED器件,尤其是顶发射白光器件的光谱稳定性较差,而且目前常见的OLED显示器件制造工艺的难度较大,成本较高。这些问题不仅降低了OLED器件的性能,还阻碍了OLED商业化的进展。本论文采用下转换结构,通过将量子点下转换膜和蓝光OLED结合,制备了具有良好光谱稳定性的白光器件,并且结合彩色滤光膜,获得了性能良好的红、绿、蓝(RGB)单色器件,并探讨了其在全彩显示方面的应用。首先,我们分别对底发射和顶发射蓝光OLED的性能进行了研究,并通过优化器件结构制备出了高效的蓝光OLED。对于底发射蓝光OLED,我们分析了电子传输层厚度和微结构光取出层对器件性能的影响。对于顶发射器件,我们通过改变腔长和光取出层厚度,分析了微腔效应对器件性能的影响。然后,采用CdSe/ZnS红光量子点作为下转换材料,制备了具有不同量子点浓度且表面光滑的常规量子点下转换膜,将其与蓝光OLED结合制备白光器件,并通过改变下转换膜中的量子点浓度来调控白光器件的光谱。此外,我们提出采用微接触转印技术制备表面具有微型圆柱阵列的微结构量子点下转换膜,并将其与蓝光OLED结合制备出了底发射和顶发射白光器件,器件最大电流效率分别可达19.1和20.6 cd/A。而且这种基于下转换结构的白光器件具有较强的光谱稳定性,光谱与色坐标几乎不随电压发生变化。接着,通过比较采用常规下转换膜和微结构下转换膜的白光器件的性能,我们分析了微结构改善器件的光取出效率和角度特性的机理。结果表明,在下转换膜表面引入微结构后,白光器件的功率效率和外量子效率得到明显提高,同时,器件的角度分布和顶发射器件的光谱角度稳定性得到改善。最后,采用CdSe/ZnS绿光量子点作为下转换材料,制备了表面具有相同微结构阵列的绿光量子点下转换膜。将微结构红光量子点下转换膜、微结构绿光量子点下转换膜、彩色滤光片分别与底发射和顶发射蓝光OLED结合,获得了基于下转换结构的R、G、B单色器件。其中,底发射R、G、B单色器件的色坐标分别为(0.70,0.30)、(0.28,0.64)和(0.10,0.16),而顶发射R、G、B单色器件的色坐标分别为(0.70,0.30)、(0.24,0.62)和(0.10,0.20)。采用以上R、G、B单色器件为三基色的彩色显示的色域分别可达83.1%NTSC和75.2%NTSC。