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硅负极材料具有高比容量,被认为是最具有潜力的新一代锂电池负极材料,但是在嵌锂过程体积膨胀高达400%,产生很大的残余应力,过大的残余应力导致硅电极粉碎脱粘等破坏模式。因此,研究硅电极在充放电过程中的应力演化是预测,优化电极结构,提高电池可靠性和寿命的关键。基底曲率法原位测量薄膜电极应力,具有简单、易于操作、实时、精度高等优点。Stoney公式是基底曲率反推硅薄膜平均应力的理论基础,并且经典的Stoney公式是基于弹性小变形、薄膜相对基底厚度很小,薄膜连续等假设。然而层状电极锂化过程中的应力跟曲率关系