作为二维材料大家族里重要的成员之一,过渡金属硫属化物（TMDCs）由于非凡的电子和光学特性,吸引了研究者的兴趣,二维TMDCs凭借其单层直接带隙、量子自旋效应、原子级厚度和可柔展性等诸多优势,展现出巨大的应用前景,在众多TMDCs制备方法中,化学气相沉积（CVD）已经被广泛证明可以通过使用不同的前驱体来合成高质量大面积TMDCs及其异质结。目前,对前驱体进行高精度、高稳定性的定量控制仍然存在挑战性,而且制备大面积图案化TMDCs的过程很复杂并且缺乏深入的研究。本文通过使用低成本的商业化喷墨打印机,实现了对喷墨打印前驱体皮克(10-12 g)数量级的控制,并且通过精确调整打印参数和生长参数,实现了厘米级别尺寸的图案化TMDCs薄膜的制备,并且具有良好的厚度可控性,此外通过这种制备方法可以在钠钙玻璃上30秒内快速合成毫米尺寸的单晶单层TMDCs,所制备的单层Mo S2和Mo Se2表现出优异的电子性能,载流子迁移率分别高达21和54 cm~2V-1s-1。此研究为高质量大面积的TMDCs原位超快、图案化生长开创了一种简单而稳定的方式,并且具有可观的工业化前景,而且这种超快生长的方法稍微调整参数可以用于其他二维材料的合成。本文具体研究内容如下:首先,选取水溶性钼酸铵（钨酸铵）粉末作为前驱体配制成前驱体水溶液,由于喷墨打印墨水的Z值在15左右,因此在前驱体水溶液中加入丙二醇增加粘度系数并加入曲拉通降低表面张力,从而使溶液Z值从40降低至20以此满足打印要求,调控打印参数,使水溶性前驱体墨水精确可控地打印在衬底上,通过理论估算与参数对比,打印参数设置为分辨率（DPI）为1440*720或1440*1440,前驱体墨水浓度为0.1 mg/m L,,此参数为最佳打印参数;其次,在CVD生长过程中,选取300 nm Si O2和钠钙玻璃为衬底,第一通过调控生长参数,生长温度为750℃,Ar为5 sccm,生长时间为5 min,在Si O2衬底上实现了厘米尺寸的图案化TMDCs薄膜生长制备,第二由于钠钙玻璃高温熔融下的各项同性和均匀性,并且能有效降低成核中心,生长温度为1050℃,生长时间为30秒,在钠钙玻璃上实现了毫米尺寸的单晶单层TMDCs的制备,生长速率可达36.4μm/s;随后,通过光学显微镜（OM）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱（Raman）、光致发光光谱（PL）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）表征手段,对制备的样品进行表征,证明了制备的大面积TMDCs的样品具有高质量属性;最后通过标准光刻工艺制备了TMDCs基场效应晶体管（FET）,通过转移特性和输出特性的测试,表明所制备的单层Mo S2和Mo Se2具有优异的电子性能,载流子迁移率分别高达21 cm~2V-1s-1和54 cm~2V-1s-1,此外制备了Mo Se2和Mo Se2-Graphene光电器件,通过测试发现器件具有良好的光响应性能,为TMDCs的器件应用奠定基础。