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本课题通过对国内外最新研究成果的分析,确定了研究的方向和研究目的。本论文意在研究Ba1-xSrxTi1-ySnyO3系统介质材料,通过对掺杂离子和制备方法的工艺参数分析,探讨了其对材料介电性能的影响,从中得到高介电常数、低损耗、低变化率的介质材料。采用SEM观察了试样的微观形貌,利用YY 2811型Automatic LCR Meter 4425在1KHz下对试样介电性能进行了测试。对试样的体积密度、电阻率等性能也进行了测试。本论文首次对Ba1-xSrxTi1-ySnyO3系统介质材料进行讨论研究,并且在其基础上加入了四种掺杂物Y2O3、Nb2O5、MgO、ZnO,使其结构复杂化达到减小损耗,降低介电系数变化率。实验结果表明,(一)随锶离子含量的增加,介电常数(ε)、介电损耗(tgδ)和介电温度变化率(Δc/c)均减小,击穿场强增加。(二)随锡离子含量的增加试样的介电常数-温度曲线变得很平缓,渐渐的成为一条接近与X轴平行的直线;介质损耗先增大后减小;介电常数变化率逐渐减小,确定主晶相为Ba0.68Sr0.32Ti0.99Sn0.01O3。(三)随Y3+含量的增加,居里温度向负温移动,ε和tgδ均是先减小后增大;介电-温度曲线渐渐地趋于平缓;击穿电压有所提高。(四)随Nb5+掺杂量的增加,ε逐渐的减小,tgδ先减小后增大;介电-温度曲线有减缓的趋势;居里温度移向负温。当Nb2O5的含量为0.8mol%时,ε为3689.54,tgδ为0.0006,介电常数温度变化率为25%,居里温度为-15℃。(五)随MgO的加入居里峰被明显的降低并展宽,介电常数-温度变化曲线为一条近乎与X轴平行的直线。MgO的加入对改变试样居里温度的效果不明显。MgO的较优含量值为2.6wt%,此时试样的ε为4081.97,tgδ为0.0019,介电常数变化率为15%,居里温度为-15℃,直流击穿场强为7.6 Kv/mm。(六)随ZnO含量的增加,ε先增大后减小,tgδ先减小后增大,居里温度移向负温,ZnO含量的变化对于试样的介电温度变化率影响不大。ZnO的较优含量为1.0wt%,此时试样的ε为5142.42,tgδ为0.0018,介电常数温度变化率为14%,居里温度为-16℃,直流击穿场强为7.9Kv/mm。(七)讨论了烧结温度和保温时间等对试样介电性能的影响,实验确定了最佳的烧结温度和保温时间。