氧化钼薄膜的制备和电化学性能调控

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微型电化学电容器是一种可集成于芯片上的电化学储能器件,是为电子器件供能的微能源系统的重要环节,目前处于快速发展阶段。它对电极材料的要求是在有限体积和面积内提供高电容量,可快速充放电,并且循环寿命长。氧化物是一类赝电容材料,比电容大,但通常不导电,倍率性能和循环稳定性差。本文通过研究氧化钼薄膜的制备和电化学性能,探索了通过成分、结构和形态来调控电化学性能的途径,考察了其在微型电化学电容器中应用的可能性。采用磁控溅射技术对MoO3进行还原溅射的方法制备了导电的MoO2+x薄膜,这种薄膜具有晶态MoO2和非晶态MoOx(2<x≤3)共存的微观结构,在Li2SO4电解液中表现出赝电容性质。通过对其独特的循环伏安曲线特征的研究,提出了该薄膜的电化学机制,认为赝电容主要来自H+和Li+在非晶态MoOx中的可逆嵌入脱出,而且H+具有更大的活性;同时,MoO2晶粒可催化其表面的结合水分解产生H原子可逆地储存于非晶态MoOx中,促进赝电容过程的进行。除此之外,MoO2晶粒的形成还起到构成导电通路和维持薄膜结构稳定的作用。测试表明,这种氧化钼薄膜的电化学性能优于相似厚度的双电层电容型微电极。以MoO2+x薄膜作为负极、电沉积MnO2薄膜作为正极组装了非对称赝电容型微电容器MoO2+x||Li2SO4||MnO2,获得了良好的性能,表明了这种氧化钼薄膜是一种性能优异的负极材料,有望在微型电化学电容器中实现可靠应用。对电化学沉积的水合非晶态氧化钼薄膜进行还原气氛退火处理,研究了温度和退火时间对电化学性质的影响,选定了最优实验条件,制备了含有MoO2纳米晶和非晶态MoOx的薄膜,获得了良好的倍率性能、循环稳定性以及较高的比电容。由于电化学沉积灵活简便,可在不同形貌的集流体上进行,因此该方法可用于开发新型结构的微电极。采用电子束蒸发倾斜生长技术沉积了Ti纳米棒阵列作为三维集流体,继而用电沉积法包覆氧化钼赝电容活性层,实现了三维结构微电极的制备,获得了较高的面积比电容和优良的循环稳定性。再通过还原气氛退火处理,进一步提高了倍率性能,获得了较快的响应速度。由此,大表面积电极结构的设计进一步改善了氧化钼电极的性能,为其在微电容器中的应用奠定了基础。
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