近年来,基于大高宽比微纳结构的元器件发展迅速,在纳米光学、MEMS和量子计算机等多个领域得到了广泛的应用,但随着微纳结构高宽比的增大,尤其对于大面积密集纳米结构,制备难度也变得越来越大。本文从电子束光刻邻近效应和抗蚀剂图形结构的粘连与倒塌问题入手,对大高宽比微纳结构制备技术进行了研究,通过采用几何修正技术对设计的版图图形结构进行修正,并利用电子束邻近效应校正软件对电子束曝光剂量进行优化,有效克服了由于前散射电子和背散射电子产生的电子束光刻邻近效应的影响;通过采用在电子抗蚀剂HSQ的常规显影液MF-CD26中添加质量分数为4%的NaCl的溶液配比显影技术,有效提高了HSQ图形结构的对比度,并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;通过对抗蚀剂图形结构的受力情况进行分析,并采用超临界CO₂干燥技术有效解决了抗蚀剂图形结构在干燥工艺过程中由于气液界面毛细管表面张力作用产生的粘连和倒塌问题,实验得到了高宽比为12:1侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构图形;通过对反向直流脉冲电镀技术进行研究,有效抑制了电镀过程中金颗粒的生长,提高了金镀层表面光滑度及镀层致密度,完成了图形转移。