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MnGa合金材料因具有高的垂直磁各向异性、高自旋极化率、低吉尔伯特阻尼常数和可调节的饱和磁化强度,是用于高密度磁存储介质和自旋电子器件的理想材料。本文使用第一性原理计算的方法,研究了衬底对Mn_(0.625)Ga_(0.375)薄膜晶格常数、原子磁矩和磁各向异性能的影响,并使用微扰理论的方法对薄膜性能变化做出定性的分析。同时,采用磁控溅射法在MgO(001)、SrTiO_3(001)、Si(001)和非晶SiO_2衬底上制备出MnGa薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和振动样品磁强计分别分析了Mn