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本文以典型结构的磷光器件ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/BAlq/Alq3/LiF/ Al为研究对象,开展界面改性研究,在NPB/CBP:Ir(ppy)3界面、CBP:Ir (ppy)3/BAlq界面以及Alq3/LiF界面处构筑方波型界面结构,研究了凸起厚度,凸起数目对器件的光电性能的影响。研究了Alq3/LiF处方波型界面对器件光电性能的影响。在Alq3/LiF处构筑方波型界面。实验制作了凸起厚度为5nm、10nm、15nm、20nm的器件,分别研究了凸起厚度、凸起数目对器件性能的影响。实验发现：在此界面处的方波型界面结构,可以改变电子的注入和传输,进而影响发光层界面电子空穴对分布。最终得出：在凸起厚度为15nm凸起数目为3时的器件D15-3电流效率最高为28cd/A,与传统结构器件D相比提高了43%。研究了CBP:Ir(ppy)3/BAlq、BAlq/Alq3、Alq3/LiF处方波型界面对器件光电性能的影响。在CBP:Ir(ppy)3/BAlq、BAlq/Alq3、Alq3/LiF三处构筑方波型界面。实验制作了凸起厚度分别为2nm、4nm、6nm、8nm的器件,分别研究了凸起厚度、凸起数目对器件性能的影响。实验发现：CBP:Ir(ppy)3/BAlq、BAlq/Alq3、Alq3/LiF处方波型界面结构既改变了发光层CBP:Ir(ppy)3的厚度,也改变了电子传输层Alq3的界面结构,进一步提高了电子注入效率,与注入到发光层界面的空穴结合增强。再者,发光层界面的增多,也是提高电流效率的主要原因。当凸起厚度为4nm、凸起数目为3时的器件D4-3的电流效率最高为27.8 cd/A,与传统结构器件D相比提高了42%。研究了NPB/CBP:Ir(ppy)3、CBP:Ir(ppy)3/BAlq、BAlq/Alq3、Alq3/LiF处方波型界面对器件性能的影响。在NPB/CBP:Ir(ppy)3、CBP:Ir(ppy)3/BAlq、BAlq/Alq3、Alq3/LiF四处构筑方波型界面。实验制作了凸起厚度分别为5nm、1Onm、15nm、20nm的器件,分别研究了凸起厚度、凸起数目对器件性能的影响。实验发现：此时方波型界面结构相当于把整个器件分割成NPB厚度不同的几个并联器件,这种并联结构器件的电流密度低于NPB厚度为30nm的传统结构的器件D。其次,方波型界面结构增加了载流子复合界面的面积,分散了NPB/CBP:Ir(ppy)3界面处三线态激子,减少了三线态激子淬灭几率,提高了三线态激子辐射衰减的几率。第三,方波型界面结构有利于将部分以光波导形式存在于器件内部的光耦合到器件外。可以看出,凸起厚度为10nm、凸起数目为3时的器件D10-3的最大电流效率为45cd/A,与传统结构器件D相比提高了64%。