调制型纳米线的制备及其表征

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多孔阳极氧化铝(AAO)模板法是目前人们制备各种纳米一维材料的常用方法。本文围绕高度有序的调制型AAO模板的制备工艺以及基于AAO模板法电沉积结构或成分调制的磁性纳米线的中心内容,分别做了以下几个方面的研究:1.在采用二次阳极氧化法研究了电解液类型和浓度、温度以及氧化电压等对AAO模板有序度、孔间距以及孔径的影响的基础上,采用非对称阳极氧化法,通过改变相邻两次氧化过程的工艺条件,在草酸、硫酸和磷酸的电解液中制备了高度有序的、结构调制的AAO模板。采用场发射扫描电镜对其形貌进行表征,研究了结构调制型AAO模板的制备工艺。所制备的结构调制型AAO模板,孔径大小比值可在一定范围内变化,最大值可达2:1,而且孔径大小可实现周期性变化。2.在自制的结构调制型AAO模板上,采用直流电沉积方法制备了单根纳米线线径大小比约为8:5的调制型钴、镍单质纳米线。利用和x射线衍射分析(XRD)对其形貌和晶体结构进行表征;采用振动样品磁强计(VSM)对其磁性进行了分析。结果表明,钴单质纳米线呈现六方相和面心立方相的复合相结构,镍单质纳米线呈现单一面心立方相结构并沿(220)择优取向。磁滞回线分析表明,它们都呈现明显的磁各向异性:平行于纳米线长轴方向为易磁化方向,而垂直于纳米线长轴方向为难磁化方向。3.在AAO模板上,采用多电位直流电化学沉积方法,在单槽溶液中制备了多层纳米线阵列。通过控制不同子层的电沉积时间,我们制备出了钴子层厚度在30~110nm间而铜子层厚度在30-50nm间变化的多层纳米线。XRD分析表明,钴单质呈现六方相和面心立方相的复合相结构;铜单质呈现单一面心立方相结构。磁滞回线分析表明,不同调制波长和子层厚度的多层纳米线阵列,磁化情况相似,外加磁场垂直或平行于纳米线长轴方向时,矫顽力和矩形比都很小,多层纳米线没有呈现出磁各向异性。
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