随着新一轮国际柔性印刷电子技术的发展,电路线宽要求越来越细,对印刷电子材料及应用技术提出了更高的要求。其关键是如何在更大幅面的柔性基板上,以更低的成本实现特征尺寸更小的柔性电子器件。随着器件尺寸进一步缩小,要求交联导电网络的线宽达纳米量级。因此电路线宽特征尺寸在亚微米、甚至纳米级的柔性导电电路的研制成为必然。本论文结合纳米压印技术和低维纳米材料填充技术,制作图形化超微细柔性透明导电电路。首先利用课题组激光图形化设备i Grapher,制作图形化柔性透明基底。并采用低温等离子体表面处理技术,改变柔性透明基材UV胶表面特性。然后采用纳米涂布及刮涂技术,使低维纳米材料填充至网络沟槽中,获得微细金属网格型透明导电薄膜。并对不同深宽比网络沟槽的填充特性进行了实验研究。另外,在刮涂填充技术的基础上,提出利用附加电场实现低维纳米材料的可控性填充。实验表明,电场驱动填充可明显改善低维纳米材料填充的方向选择性,使得任意取向的沟槽结构均获得均匀填充,从而获得导电性较高的超微细透明导电电路。本论文对超微细柔性透明导电电路的制作方法进行研究,系统阐述了制作工艺流程,并提出利用电场驱动填充网络沟槽。为更高要求的柔性印刷电子的研制提供了技术工艺基础。