【摘 要】
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Bi_2Se_3和Sb_2Se_3以其材料本身所具有的特点，分别在光电子器件、热电冷凝装置和光信息存储等方面已显示出其优越性。本文采用SILAR法行之有效的将Bi_2Se_3和Sb_2Se_3各自的材料特点有机地结合起来，制备方法制备出Bi_xSb_(2-x)Se_3三元固溶体半导体材料。通过多次试验探索出一种独创的膜厚试验简易装置，利用该装置在不同工艺条件和参数下制备出大量Bi_xSb_(2-x
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Bi_2Se_3和Sb_2Se_3以其材料本身所具有的特点，分别在光电子器件、热电冷凝装置和光信息存储等方面已显示出其优越性。本文采用SILAR法行之有效的将Bi_2Se_3和Sb_2Se_3各自的材料特点有机地结合起来，制备方法制备出Bi_xSb_(2-x)Se_3三元固溶体半导体材料。通过多次试验探索出一种独创的膜厚试验简易装置，利用该装置在不同工艺条件和参数下制备出大量Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜样品，并采用电子探针、XRD、XPS、SEM、AFM、紫外可见分光
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