本文以ZnTe一维纳米材料为研究体系，对ZnTe一维纳米材料的制备，微观结构表征，生长机理，光学性能等基本特性进行研究。利用氢助热蒸发的方法制备了周期孪晶纳米线和均匀纳米带的闪锌矿ZnTe一维纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和能谱(EDS)等多种手段对产物进行表征和分析，发现孪晶纳米线主要沿<111>方向生长；而均匀纳米带沿<111>和<211>方向生长。在此基础上建立了不同形态产物的生长模型，并从温度、接触角、相图、能量等角度探讨产物的形成机理。发现不同形态纳米结构的形成主要依赖于其基体的生长温度。周期孪晶纳米线和均匀纳米带分别位于低温和高温区域，而且在其交界区发现了由孪晶纳米线向均匀纳米带过渡的纳米结构。拉曼光谱的结果进一步证实了孪晶界是由过量的Te原子构成。孪晶和过量的Te原子导致了光致发光光谱向长波方向发生了微弱的“红移”，这使得ZnTe一维纳米结构在纳米器件上具有潜在的应用价值。　　 ZnTe纳米线的电学特性研究主要针对纳米线与金属电极的欧姆接触、纳米线本征电阻率、光电导、掺杂提高纳米线导电率等多个问题展开。尝试利用Au、Pt、Ni等多种电极解决ZnTe纳米线的欧姆接触问题，最终发现Ni/Au电极可以实现ZnTe纳米线与电极间的欧姆接触。采用四电极法测量了单根ZnTe纳米线的伏安特性曲线，计算出ZnTe纳米线与Ni/Au电极的接触电阻率为2.6×10-1Ωcm2，而其本征电阻率为369.1Ωcm。利用可调光源测量单根ZnTe纳米线的光电导特性曲线，发现ZnTe纳米线具有典型的光电特性，在强度为36.4 mW/cm2的白光照射下，低阻和高阻纳米线的电导分别提高了36.7％和2个数量级。在此基础上，进一步研究了ZnTe纳米线的开关特性，但其频率响应较低。　　 采用Se和Cu两种元素对ZnTe纳米线进行掺杂，发现掺杂后ZnTe纳米线的电导率均可以得到有效的提高。利用ZnTe纳米线与ZnSe纳米线生长过程中存在的交叠区间，将Se掺杂进入ZnTe纳米线。结果发现，掺杂量为3.22％时，ZnTe纳米线电导率相对未掺杂时提高了2个数量级。而掺杂Cu时，采用热扩散的方法使Cu均匀扩散进入ZnTe纳米线，发现当Cu的掺杂量为17.5％时，其电导率提高了5个数量级。　　 最后利用导电原子力显微镜法，通过自制Au导电针尖初步测量了Cu掺杂ZnTe纳米线的电阻率。导电原子力显微镜法的测量结果为5.8×10-3Ωcm，与四电极法的测量结果3.4×10-3Ωcm处在相同数量级。　　 以上的工作结果，为ZnTe纳米线在纳电子器件的应用提供了丰富的实验和理论基础。