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有效线宽ΔHeff和场移S的来源分析
有效线宽ΔHeff和场移S的来源分析
来源 :磁性材料及器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wy19841010
【摘 要】
:
考虑了晶粒表层中由杂质和应力引起的表面单轴各向异性场,计算表明非共振ΔHeff 源于晶粒表层的自旋波共振损耗χs+ " ,场移源于χs+ - χb+ 。理论与实验十分一致。
【作 者】
:
韩志全
【机 构】
:
中国西南应用磁学研究所!绵阳621000;
【出 处】
:
磁性材料及器件
【发表日期】
:
1999年05期
【关键词】
:
微波铁氧体
铁磁共振
有效线宽
自旋波共振
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考虑了晶粒表层中由杂质和应力引起的表面单轴各向异性场,计算表明非共振ΔHeff 源于晶粒表层的自旋波共振损耗χs+ " ,场移源于χs+ - χb+ 。理论与实验十分一致。
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