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向CoSi2膜中分别注入As+和BF2+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N+-P和 P+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.