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BF2+,F+ +B+和Ar++B+注入硅快速退火剩余损伤及对浅P+N结的影响(英文)
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子研宄所;西安电子科技大学微电子研宄所;
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1989年04期
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