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本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途。
光CVD-SiO2薄膜的研究
【摘 要】
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本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果
【机 构】
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西北电讯工程学院微电子研究所;西北电讯工程学院微电子研究所;
【出 处】
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西北电讯工程学院学报
【发表日期】
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1988年01期
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