GaAs单片移相器设计

来源 :微波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luzhenning

【摘要】

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本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片

【作者】

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周志鹏杜小辉代合鹏

【机构】

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南京电子技术研究所

【出处】

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微波学报

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

：

GaAs单片移相器单片微波集成电路 GaAs工艺原型高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片移相器设计 GAAS 高电子迁移率晶体管 3.5GHz 仿真结果

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本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.

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