水热法ZnO单晶的缺陷和光学特性研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:you0tmd1234
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运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)分析了比较了水热法ZnO晶体+c及c-部分的杂质,用四探针法比较了两部分的电阻率。结果表明,晶体+c部分杂质含量少于-c部分,且前者电阻率明显高于后者。比较了Xe灯激发下两部分的光学性质,用氧气和氢气分别对+c部分ZnO进行处理,并进一步用He-Cd激光器对晶体的光学性能进行了研究,分析表明ZnO晶体416 nm左右的蓝光发射来自导带到锌空位(VZn)浅受主能级的跃迁,490 nm的蓝绿光发射与锌填隙(Zni)有关,540 nm附近的黄绿光发射与氧填隙(
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