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用透射电镜等手段观察了硅片北面原始软损伤及它在工艺过程中的变化。分析了软损伤杂的作用机构：当热氧化时软损伤诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。
软损伤吸杂作用机构的分析
【摘 要】
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用透射电镜等手段观察了硅片北面原始软损伤及它在工艺过程中的变化。分析了软损伤杂的作用机构：当热氧化时软损伤诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错硅片表面电
【机 构】
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复旦大学材料系,上海硅材料厂
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2000年2期
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